１.はじめに
　　FET・IGBTインバータのゲートドライブ電源を設計する際，大型のモジュールや素子の並列数が多い場合には，
　電源容量を確認する必要がある。
　電源容量が不足した場合，ゲート電圧が低下し，素子が完全にONできなくなり発熱により破損に至る。
　　今回、IGBTモジュールによるインバータ回路設計にあたり，スイッチング周波数を上げるるため
　ディスクリートMOS-FETを並列接続して実験を行った。
　その際，FETのゲートドライブ用電源の容量が十分あるかを，データシートから算出したので,その手順を記す。

２．FET素子と回路構成
　（１）ディスクリートFETはON抵抗が低く，スイッチング損失が少ないInfineon社製のIPW60R018CFD7を選定した。
　　主なスペックを下記に示す。
　
　（２）回路構成
　　①FET：3並列接続，単相Hブリッジ回路
　　②使用素子数は合計12個
　　③スイッチング周波数100kHz

３．ゲート電源の容量算出
　（１）FETのゲート電荷特性
　　　マイナス電圧を印可した時のゲート容量は，
　　　帰還容量の影響がないことから
　　　右図の赤線をマイナス側に延長した値で比例関係になる。
　　　0点を通るのでプラス側に直線を延長し電荷量を求める。

　（２）FET 1個当たりのゲート電荷量の目測
　　変数をVgsとし，電荷量Qgの式を立てる。
　　①赤線の直線の方程式：Qg = Δ電荷量 /Δ電圧*Vg = (100nC/10V)*Vg
　　　ゲート電圧0Vから-15Vまでの電荷量は，Qg = 10*15V = 150nC
　　②青線の直線の方程式：Qg = Δ電荷量 /Δ電圧＊Vg＋初期値 = (250-28)nC/10V*Vg＋28nC
　　　ゲート電圧0Vから+15Vまでの電荷量は，Qg = (222nC/10V)*15V+28nC = 361nC
　　③ゲート電圧±15V，100kHzで駆動した時の電源容量Pは
　　　P = Qg * Vg * f = (150nC+361nC) * 30V * 100kHz = 1.53[W]

　（３）Hブリッジインバータのゲートドライブ電源容量
　　①FET　12個使用することから，1.53 * 12 = 18.36W
　　②マージンを1.5倍見て，約30Wのゲート電源が必要とした。

４．参考資料
　　「三菱電機IGBTモジュールの使い方」より